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> 제작품 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > RN2969FE(TE85L,F)

RN2969FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

  • NUP5120X6T2G.jpg
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RN2969FE(TE85L,F), 1 년 품질 보증

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부품 번호 RN2969FE(TE85L,F)
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 8404 pcs
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부품 번호 RN2969FE(TE85L,F)
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 8404 pcs
데이터 시트 RN2967FE-69FE
제품 사진 RN2969FE(TE85L,F).jpg
범주 이산 반도체 제품
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 250µA, 5mA
트랜지스터 유형 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 ES6
연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 22 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 47 kOhms
전력 - 최대 100mW
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
다른 이름들 RN2969FE(TE85LF)TR
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 200MHz
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 70 @ 10mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA
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  • 제조사:Nexperia
  • 기술:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
  • 재고:1678037
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