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> 제작품 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

  • NZQA5V6XV5T1.jpg
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RN2705JE(TE85L,F), 1 년 품질 보증

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부품 번호 RN2705JE(TE85L,F)
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 205933 pcs
참조 가격
(US 달러)
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$0.209$0.15$0.117$0.088
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Product parameter

부품 번호 RN2705JE(TE85L,F)
제조사 Toshiba Semiconductor and Storage
기술 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 205933 pcs
데이터 시트 RN2701JE-06JE
제품 사진 RN2705JE(TE85L,F).jpg
범주 이산 반도체 제품
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 250µA, 5mA
트랜지스터 유형 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 ESV
연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 47 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 2.2 kOhms
전력 - 최대 100mW
포장 Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스 SOT-553
다른 이름들 RN2705JE(TE85LF)CT
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 200MHz
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 80 @ 10mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA
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  • 제조사:Nexperia
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