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> 제작품 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-단일, 프리 바이어스 > PDTB123TS,126

PDTB123TS,126

NXP Semiconductors / Freescale

  • BT149G,126.jpg
  • TISP4082F3LMR-S.jpg
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PDTB123TS,126, 1 년 품질 보증

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부품 번호 PDTB123TS,126
제조사 NXP Semiconductors / Freescale
기술 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 8178 pcs
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부품 번호 PDTB123TS,126
제조사 NXP Semiconductors / Freescale
기술 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 8178 pcs
데이터 시트 PDTB123T Series
제품 사진 PDTB123TS,126-001.jpg , PDTB123TS,126-002.jpg
범주 이산 반도체 제품
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 300mV @ 2.5mA, 50mA
트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지 TO-92-3
연속 -
저항기 -베이스 (R1) 2.2 kOhms
전력 - 최대 500mW
포장 Tape & Box (TB)
패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
다른 이름들 934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 100 @ 50mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 500mA
기본 부품 번호 PDTB123
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  • 부품#:DRA3115G0L
  • 제조사:Panasonic
  • 기술:TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
  • 재고:1586314
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