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> 제작품 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-바이 폴라 (bjt)-단일, 프리 바이어스 > NSVDTC123EM3T5G

NSVDTC123EM3T5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

  • SZUESD3.3DT5G.jpg
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NSVDTC123EM3T5G, 1 년 품질 보증

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부품 번호 NSVDTC123EM3T5G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 2948260 pcs
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Product parameter

부품 번호 NSVDTC123EM3T5G
제조사 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술 TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 2948260 pcs
데이터 시트 MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx
제품 사진 NSVDTC123EM3T5G.jpg
범주 이산 반도체 제품
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 5mA, 10mA
트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지 SOT-723
연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 2.2 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 2.2 kOhms
전력 - 최대 260mW
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 SOT-723
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 5 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 8 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA
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